研究人员制备成功RF MEMS振荡器
2014年01月07日
来源：中国科学院半导体研究所
研究人员制备成功RF MEMS振荡器
中国科学院半导体研究所半导体集成技术工程研究中心，在自然科学基金、中科院项目的支持下，经过努力探索，制备成功RF MEMS振荡器。
基于微纳谐振器的MEMS振荡器，具有高频、高品质因子（>103），可与IC电路在同一芯片集成，实现系统小型化，在军民两用高技术领域具有非常广泛的应用。
中国科学院半导体研究所成功制作了高性能全硅MEMS振荡器，基频达149MHz，高阶频率达868MHz，大气中品质因子>8000，相位噪声在1kHz达到-68dBc/Hz，10kHz达到-95 dBc/Hz，短期频率稳定度小于±1 ppm，中期频率稳定度-5 ppm --2 ppm。全硅MEMS振荡器比石英晶振在性能、体积和生产成本方面明显占优，更符合现代电子产品的标准。全球时脉市场规模达50亿美元，目前MEMS振荡器市场占有率在4%以下，但预估2013～2015年，将有高达100%的年增长率。
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